TP是一款开关降压型单节锰锂电池/磷酸铁锂电池充电管理芯片。
其QFN16超小型封装与简单的外围电路，使得TP非常适用于便携式设备的大电流充电管理应用。同时，TP内置输入过流、欠压保护、芯片过温保护、短路保护、电池温度监控、电池反接保护。TP具有宽输入电压，对电池充电分为涓流预充、恒流、恒压三个阶段，涓流预充电电流、恒流充电电流都通过外部电阻调整，最大充电电流达2A。TP采用频率kHz的开关工作模式使它可以使用较小的外围器件，并在大电流充电中仍保持较小的发热量。TP内置功率PMOSFET、防倒灌电路，所以无需防倒灌肖特基二极管等外围保护。TP的恒流功能，也可以用在2串锂电池或4串干电池输入，恒流驱动0.5-7W白光LED。
特性
■单节4.2V锰锂或3.6V磷酸铁锂电池充电
■内置功率MOSFET,开关型工作模式，器件发热少，外围简单
■可编程充电电流，0.1A--2A■可编程预充电电流，10%--%
■无需外接防倒灌肖特基二极管■宽工作电压，最大达到9V
■两路LED充电状态指示
■芯片温度保护，过流保护，欠压保护
■电池温度保护、电池反接停机、短路保护
■开关频率KHz，可用电感2.2uH-10uH
■自动再充电功能
■小于1％的充电电压控制精度
■涓流、恒流、恒压三段充电，保护电池
■采用QFNmm*4mm超小型封装
绝对最大额定值
■输入电源电压（VIN）：10V
■BAT：-4.2V～9V
■BAT短路持续时间：连续
■最大结温：℃
■工作环境温度范围：-40℃～85℃
■贮存温度范围：-65℃～℃
■引脚温度（焊接时间10秒）：℃